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Article

Boige, François and Trémouilles, David and Richardeau, Frédéric. Physical Origin of the Gate Current Surge During Short-Circuit Operation of SiC MOSFET. (2019) IEEE Electron Device Letters, 40 (5). 666-669. ISSN 0741-3106

Thesis

Boige, François. Caractérisation et modélisation électrothermique compacte étendue du MOSFET SiC en régime extrême de fonctionnement incluant ses modes de défaillance : Application à la conception d'une protection intégrée au plus proche du circuit de commande. PhD, Génie Electrique, Institut National Polytechnique de Toulouse, 2019

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