Étude et caractérisation d’une fonction hacheur intégrée par thermographie infrarouge

Abstract

Cet article présente une méthode d’étude et de caractérisation des fonctions d’électronique de puissance basée sur la thermographie infrarouge. Cette dernière permet d’accéder, sans contact, à l’évolution temporelle du champ surfacique de température de la structure fonctionnelle, basée ici sur un IGBT Silicium et une diode SiC. Cette étude apparaît comme essentielle dans le cadre de l’intégration de puissance, lors du dimensionnement thermique au sein d’une fonction spécifique, afin de réduire le volume des fonctions et des systèmes de refroidissement associés. Le suivi thermique est ainsi réalisé jusqu’à l’obtention du régime permanent de la structure, à la fois au niveau des composants IGBT et diode mais également des fils de bonding. L’étude de la fonction hacheur 1 quadrant est menée par ailleurs pour différents points de fonctionnement afin de valider l’approche proposée. Par la suite, les sollicitations thermiques auxquelles sont soumis les éléments de la fonction sont comparées et discutées.