Elaboration par OM-CVD du semiconducteur composite désordonné GaAs:(SiC,H) : corrélations entre sa structure hétérogène et ses propriétés électroniques

Abstract

Le semiconducteur composite désordonné GaAs:(SiC,H) a été obtenu par OM-CVD à partir des deux précurseurs ClEt2Ga.AsEt3 et Si(CH2-C=CH)4. Les études physicochimiques (EDAX, SIMS et IR) et structurales (RX, Raman et MET) ont montré que ce matériau était constitué de cristallites GaAs dispersés dans une phase désordonnée SixC1-x(H). Cette structure hétérogène conduit, lorsqu'on mesure une propriété électronique à une réponse préférentielle de l'une des deux phases. Ainsi, elles contribuent toutes deux à l'émission photoluminescente du matériau mais son absorption optique serait essentiellement due aux cristallites GaAs et la conductivité électrique serait contrôlée tour à tour par chacune des phases suivant la teneur en SixC1-x. La discussion sur les mécanismes réactionnels montre qu'il est possible, par un choix judicieux des précurseurs organométalliques, d'orienter la croissance vers une structure polyphasée préétablie.